Технологія напівпровідникових ІМС

Виготовлення напівпровідникових ІМС здійснюють, використовуючи два основних технологічних процеси: дифузію домішок, що створюють в напівпровіднику область з типом провідності, протилежним вихідного, нарощування шару кремнію на кремнієву підкладку, що має протилежний тип провідності.

Всі елементи схеми формуються в так званих острівцях, утворених в кристалі і ізольованих між собою. Металеві смужки, необхідні для з’єднання елементів в електричну схему, напилюють на поверхню пластини-кристала. Для цього електроди всіх елементів виводяться на поверхню пластини і розміщуються в одній площині, в одному плані. Тому технологія виготовлення схем за допомогою дифузії називається планарпо-дифузійної, а за допомогою епітаксійного нарощування – епітаксіал’но-планарної.

Вихідним матеріалом для виготовлення ІМС по пла-Нарнії-дифузійної технології є слабо легована пластина кремнію р-типу, на яку методом фотолітографії наносять захисний шар SiÔ2 (рис. 1.20). Через вікна в захисному шарі проводиться дифузія домішки я-типу, в результаті чого утворюються острівці, межі яких впираються знизу в захисний шар, що різко знижує можливість протікання струмів витоку по поверхні. Між острівцями і підкладкою утворюється р-n-перехід, до якого підключають напругу таким чином, щоб цей перехід був замкнений (тобто мінусом на р-підкладці). В результаті острівці стають ізольованими один від одного.

Посилання на основну публікацію