Магніторезистивний ефект

Магніторезистивний ефект – це зміна електричного опору будь-якого матеріалу (предмета) під дією зовнішнього магнітного поля. Тобто, наприклад, у нас є кокой-то предмет певної форми. Ми вимірюємо його опір, записуємо, а потім поміщаємо цей предмет в поле постійного або електричного магніту і знову заміряємо опір в тих же точках. Так ось, якщо матиме місце магніторезистивний ефект, то виміряні свідчення не збігатимуться.

Вперше магніторезистивний ефект був відкритий британським фізиком Вільямом Томсоном в 1856 році. Тоді вчений виявив схожі властивості лише в деяких матеріалах, але як показали пізніші наукові дослідження в цій області – магніторезистивний ефект в тій чи іншій мірі може виникати практично у всіх матеріалів і речовин.

Навіть в надпровідниках, опір яких практично дорівнює нулю, при певному значенні сили магнітного поля з’являється магніторезистивний ефект.

Найбільш сильно схильні до цього явища напівпровідники. Їх опір під дією магнітного поля може змінюватися на сотні і навіть тисячі відсотків від нормального значення. А ось в металах ефект виражений дуже слабо.

Помічено також, що ступінь зміни електричного опору матеріалу залежить і від його орієнтації в магнітному полі. Наприклад, поперечне поле (силові лінії перпендикулярні поверхні матеріалу) змінює опір в більшій мірі, ніж поздовжнє (силові лінії спрямовані уздовж поверхні).

Використовується магніторезистивний ефект в основному в датчиках магнітного поля.

Посилання на основну публікацію